LEC坩堝
液封直拉法（LEC）技術可生長適用于直接離子注入的高純非摻雜半絕緣單晶或多晶等。
主要特點：
1.我公司可制作大規格坩堝（最大直徑12inch，最大高度17inch）
2.純度高（>99.99%）；
3. 1500℃下，a方向的熱導率是c方向的20倍以上，有利于形成單晶生長所需的溫度梯度。
產品應用
用于LEC法合成GaAs、InP、GaP等半導體單晶及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物單晶。
主要特點：
1.我公司可制作大規格坩堝（最大直徑12inch，最大高度17inch）
2.純度高（>99.99%）；
3. 1500℃下，a方向的熱導率是c方向的20倍以上，有利于形成單晶生長所需的溫度梯度。
產品應用
用于LEC法合成GaAs、InP、GaP等半導體單晶及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物單晶。
PBN性能參數表
| Properties（屬性） | Units（單位） | Values（數值） |
| Density（密度） | g/cm3 | 1.95-2.20 |
| Tensile Strength（抗拉強度） | MPa | 112 |
| Bending Strength（彎曲強度） | MPa | 173 |
| Compression Strength（壓縮強度） | MPa | 154 |
| Young's Modulus（楊氏模量） | GPa | 18 |
| Thermal Conductivity（導熱系數） | W/m°C | "a" 60 "c" 2 |
| Specific Heat（比熱） | J/g·℃ | 0.90（RT） |
| Resistivity（電阻率） | Ω.cm | 2×1015 |
| Dielectric Strength（介電強度） | D.C. volts/mm | 2x1015 |
| Dielectric Constant（介電常數） | "c" 3.07 | |
| Metal Impurity Content（金屬雜質含量） | ppm | <10 |
